Diode PIN verticale sur diamant (100) autosupporté à base de couches i et n dopées phosphore
Year: 2025
Type: conference-paper
Abstract: Cet article présente la réalisation et la caractérisation de diodes bipolaires n + -i-p + en diamant sur substrat autosupporté (100) caractérisées électriquement jusqu'à 600 °C sous vide à l'aide d'un équipement unique en France. Les résultats obtenus mettent en évidence la faisabilité et les performances prometteuses des diodes PIN en diamant pour des applications en électronique de puissance.
Source: HAL
Institutions: Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes, Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, CEA Grenoble, Laboratoire d'Électronique des Technologies de l'Information, Université Grenoble Alpes, Groupe d’Étude de la Matière Condensée, Université Sorbonne Paris Nord, Laboratoire des Sciences des Procédés et des Matériaux
Language: French
Subfield: Materials Chemistry
Field: Materials Science
Domain: Physical Sciences
Open Access status: green
OpenAlex ID: W7205775656