SiCシリコン空孔を用いた全光型量子センシングの実験
Year: 2025
Type: conference-paper
Abstract: シリコンカーバイド（SiC）中のシリコン空孔（VSi）は欠陥にトラップされた電子準位の磁場依存性を利用することで高感度な磁場センシングが可能なスピン欠陥である。スピン欠陥型量子センサで一般的な磁場検出原理である光検出型磁気共鳴（ODMR）法は高感度化に適するものの、励起光、蛍光に加えて磁気共鳴用の高周波が必要であり、センサ構造が複雑になる。そこで、代表的なスピン欠陥の一つであるダイヤモンド窒素-空孔中心では、磁場印加によるスピン状態の混成を利用した高周波レスの磁場センサが提案、実装されている. 我々はこの手法をVSiに援用し、マイクロ波を用いない磁場センサの開発を行うとともに、蛍光強度の角度依存性、励起光強度依存性を系統的に測定した。
Language: Japanese
Subfield: Materials Chemistry
Field: Materials Science
Domain: Physical Sciences
Open Access status: green
OpenAlex ID: W7207928962