Year: 2023
Type: article
Abstract: Имплантация низкоэнергетическими ионами в сочетании с отжигом позволяет получать не только однородные сплошные нанопленки SiO2, но и пленки SiO2 с регулярно расположенными фазами нанокристаллического кремния. Независимо от типа окисления между однородной пленкой SiO2 и Si образуется переходный слой толщиной d, в котором концентрация O уменьшается с увеличением глубины d от ~ 65 ¸ 70 ат.% до 0..
Institution: Karshi State University
Language: English
Subfield: Surfaces, Coatings and Films
Field: Materials Science
Domain: Physical Sciences
Open Access status: diamond
OpenAlex ID: W7219659716