Propriétés électroniques du silicium amorphe hydrogéné : courants limités par charge d'espace et photoconduction
Year: 1988
Type: dissertation
Abstract: Les proprietes electroniques du silicium amorphe hydrogene sont determines par la densite d’etats dans la bande interdite. A partir de la methode des courants limites par charge d’espace (CLCE) sous excitation lumineuse, nous avons pu determiner cette densite d’etats dans un domaine d’energie situe au-dessus du niveau de Fermi. Nous avons obtenu une densite d’etats exponentielle de temperature caracteristique de l’order de 1000k. Nous proposons une discussion sur la difference dans les pentes de densite d’etats determinees a partir de la methode precedente, de la methode CLCE a l’obscurite et a partir des mesures de photoconductivite. Dans une deuxieme partie nous avons fait des mesures de rendement et du temps de reponse de la photoconductivite dans un large domaine de flux. La comparaison du rapport d’electrons pieges aux electrons libres obtenu experimentalement avec le meme rapport obtenu a partir d’un calcul a permis de montrer la validite des densites d’etats obtenues par CLCE sous excitation lumineuse.
Author: Karima Haddab
Language: French
Subfield: Electrical and Electronic Engineering
Field: Engineering
Domain: Physical Sciences
Open Access status: green
OpenAlex ID: W97182183