Author

J. Pointet

Observed names: John Pointet, Pointet, J.

Institution: Université Grenoble Alpes

Observed institutions: Centre National de la Recherche Scientifique, Université Joseph Fourier, Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, Centre Interuniversitaire de MicroElectronique et Nanotechnologies, Laboratoire des Technologies de la Microélectronique, Laboratoire d'Électronique des Technologies de l'Information, Communauté Université Grenoble Alpes, Tunis El Manar University, Université Grenoble Alpes

ORCID: 0000-0001-9763-8219

Observed ORCID: 0000-0001-9763-8219

OpenAlex ID: A5005196297

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Low-frequency dielectric properties of intrinsic and Al-doped rutile TiO2 thin films grown by the atomic layer deposition technique

2016 · M. Kassmi, J. Pointet, et al. · Journal of Applied Physics · 13

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2015 · Ahmad Bsiesy, Patrice Gonon, et al. · ECS Transactions · 4

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2017 · Chaker, A., Szkutnik, P., et al. · HAL

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2017 · Chaker, A., Szkutnik, P., et al. · HAL

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2016 · Chaker, A., Szkutnik, P., et al. · HAL

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2015 · John Pointet · theses.fr (ABES)

Metal-Insulator-Metal Devices with High-K Dielectric for Nonvolatile or Dynamic Random Access Memories

2015 · Bsiesy, A., Gonon, P., et al.

Growth of high dielectric constant TiO2 films in capacitors using a low temperature ALD process

2013 · Pointet, J., Bsiesy, A., et al. · HAL

Works count: 12

Citation count: 73

H-index: 4

I10-index: 3