2020 · N. A. Kulchitskiy, A. V. Naumov, et al. · Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering · 1

PDF

Охлаждаемые фотоприемные устройства ИК‑диапазона на кадмий-ртуть-теллуре: состояние и перспективы развития

2020 · Н. Кульчицкий, А. Наумов, et al. · ELECTRONICS Science Technology Business · 1

PDF

Рынок неохлаждаемых микроболометров для ИК-камер: тенденции и перспективы

2019 · Н. Кульчицкий, А. Наумов, et al. · ELECTRONICS Science Technology Business · 1

PDF

Современные оптоэлектронные приборы на основе селенида цинка

2014 · Н.А. Кульчицкий, А.В. Наумов, et al. · 1

Современное Состояние И Перспективы Матричных Неохлаждаемых Детекторов Терагерцового Диапазона

2022 · Н. Кульчицкий, А. Наумов, et al. · ELECTRONICS Science Technology Business

Nonlinear Optical Diagnostics of the Crystal Structure of Semiconductor Films in Molecular Beam Epitaxy

2022 · N. A. Kulchitskii · Journal of Communications Technology and Electronics

Детектирование в терагерцевом диапазоне. Часть II

2021 · Н.А. Кульчицкий, А.В. Наумов, et al. · Photonics Russia

Investigation of the Differential Resistance of MIS Structures Based on n-Hg0.78Cd0.22Te with Near-Surface Graded-Gap Layers

2021 · A. V. Voitsekhovskii, N. A. Kulchitskii, et al. · Journal of Communications Technology and Electronics

Современное состояние и перспективы детекторов в терагерцовом диапазоне. Часть 1. Прямое детектирование терагерцового излучения

2021 · Н.А. Кульчицкий, А.В. Наумов, et al.

Uncooled Infrared Microbolometers — Current State and Development Trends

2018 · N.A. Kulchitskiy, A.V. Naumov, et al. · Nano- i Mikrosistemnaya Tehnika

Инфракрасные детекторы на основе МЭМС микрокантилеверов

2016 · А.С. Войцеховский, Н.А. Кульчицкий, et al.

Современное состояние тонкопленочной солнечной энергетики

2013 · Н.А. Кульчицкий, А.В. Наумов

Детекторы терагерцового излучения

2012 · А.В. Войцеховский, Н.А. Кульчицкий, et al.

Определение интенсивности атомных и молекулярных пучков на основе малоуглового рассеяния электронов в молекулярно-пучковой эпитаксии

2007 · Н.А. Кульчицкий, А.Н. Кульчицкий, et al.

Capacitance properties of MIS structures HgCdTe/SiO2/Si3N4

2005 · A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, et al. · DOAJ (DOAJ: Directory of Open Access Journals)

Carrier lifetime in Hg 1-x Cd x Te grown by molecular beam epitaxy

1999 · Aleksander V. Voitsekhovskii, Yu. A. Denisov, et al. · Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering/Proceedings of SPIE

Works count: 26

Citation count: 43

H-index: 4

I10-index: 1