Work

Physical Properties Investigation of Arsenic Based III-V Materials Grown on Nanopatterned Si(100) Substrates

Year: 2015

Type: conference-paper

Source: HAL

Authors: Cipro, R., Martin, M., Moeyaert, J., Bassani, F., Gorbenko, V., David, S., Latu-Romain, E., Barnes, J., Bogumilowicz, Y., Rochas, N., Loup, V., Vizioz, C., Yckache, K., Chauvin, Nicolas, Bao, X., Ye, Z., Carlson, D., Pin, J., Sanchez, E., Baron, T.

Institutions: Laboratoire des Technologies de la Microélectronique, Laboratoire d'Électronique des Technologies de l'Information, Aix-Marseille Université, Centre de Spectrométrie Nucléaire et de Spectrométrie de Masse, Institut de Physique Nucléaire d’Orsay, Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, CEA Grenoble, Institut des Nanotechnologies de Lyon

Language: English

Topic: Semiconductor Quantum Structures and Devices

Subfield: Atomic and Molecular Physics, and Optics

Field: Physics and Astronomy

Domain: Physical Sciences

Open Access status: closed

OpenAlex ID: W2104965508

FWCI:

Cites:

Cited by:

Related to: 10