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Caractérisation structurale par XRD et RHEED de couches minces épitaxiées de GaN déposées sur Al2O3(0001) par ablation laser réactive

Year: 2000

Type: article

Source: Journal de Physique IV (Proceedings)

DOI: 10.1051/jp4:20001030

Authors: D. Ohlmann, J. L. Deiss, J. L. Loison, M. Robino, G. Versini

Institutions: Centre National de la Recherche Scientifique, Institut de Physique et Chimie des Matériaux de Strasbourg

Language: French

Topic: GaN-based semiconductor devices and materials

Subfield: Condensed Matter Physics

Field: Physics and Astronomy

Domain: Physical Sciences

Open Access status: closed

OpenAlex ID: W1998954372

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