ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ОБЪЯСНЕНИЕ ЭФФЕКТА УМЕНЬШЕНИЯ ЭНЕРГИИ ПЛАЗМОНОВ В Si (111) ПРИ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ C БОЛЬШОЙ ДОЗОЙ
Year: 2018
Type: article
Abstract: В работе дано теоретическое объяснение экспериментально обнаруженному эффекту уменьшения энергии возбуждения поверхностных и объёмных плазменных колебаний валентных электронов кремния Si (111) при имплантации ионов В, Ва и щелочных элементов с большой дозой D > 1016 см−2 . Наблюдаемый эффект уменьшения энергии плазмонов Si (111) объясняется сильным затуханием колебаний валентных электронов вследствие сильного разупорядочения кристаллической структуры Si (111) вплоть до полной аморфизации.
Source: «Узбекский физический журнал»
DOI: 10.52304/.v20i1.26
Language: Russian
Subfield: Surfaces, Coatings and Films
Field: Materials Science
Domain: Physical Sciences
Open Access status: bronze
OpenAlex ID: W4234872136