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43nmCMOS技術を用いた120mm^2 16Gb多値NANDフラッシュメモリの開発

Year: 2008
Type: article
Authors: 大 中村, 和重 神田, 勝 小柳, 俊雄 山村, 浩司 細野, 正浩 吉原, 達 三輪, 洋介 加藤, Alex Mak, Chan Siu Lung, Frank Tsai, Raul Cernea, Binh Le, 英一 牧野, 隆志 平, 博之 大竹, 則文 梶村, 進 藤村, 義昭 竹内, 幹彦 伊東, 政信 白川, 裕也 鈴木, 雄紀 奥川, 正嗣 小島, 和英 米谷, 尚倫 有薗, 俊記 久田, 晋示 宮本, 充宏 野口, 利武 八重樫, 政昭 東谷, 文俊 伊藤, 輝彦 亀井, 徹 丸山, 和美 井納, 成夫 大島
Language: Japanese
Open Access status: closed
OpenAlex ID: W9454013
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