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Détermination des épaisseurs de films très minces de SiO2 sur silicium par microscopie électronique en transmission, ellipsométrie spectroscopique et spectroscopie de photoélectrons

Year: 1993

Type: article

Abstract: La Microscopie Electronique en Transmission à Haute Résolution (METHR), l'ellipsométrie spectroscopique et la spectroscopie de photoélectrons XPS ont été utilisées conjointement pour évaluer avec précision l'épaisseur de couches très minces de SiO2 (20-200 Å) de qualité électronique. Une calibration de l'ellipsométrie et de l'XPS par la METHR a été effectuée. Une procédure de mesure de l'épaisseur absolue d'oxydes fins a été déterminée pour les trois méthodes.

Source: Journal de Physique III

DOI: 10.1051/jp3:1993212

Authors: R. Saoudi, G. Hollinger, A. Gagnaire, P. Ferret, M. Pitaval

Institutions: Centre National de la Recherche Scientifique, École Centrale de Lyon

Language: French

Topic: Electron and X-Ray Spectroscopy Techniques

Subfield: Surfaces, Coatings and Films

Field: Materials Science

Domain: Physical Sciences

Open Access status: green

OpenAlex ID: W1663301232

FWCI: 0.376

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