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幸浩霜垣

Observed names: 康介永井, 霜垣幸浩

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CVD/ALDを用いたCu(Mn)/Co(W)配線システムの構築と3次元アトムプローブによるサブナノ構造・バリヤ性評価(招待講演,配線・実装技術と関連材料技術)

2015 · 紘平嶋, 悠高見澤, et al. · SIAM International Conference on Data Mining

CVD/ALDを用いたCu(Mn)/Co(W)配線システムの構築と3次元アトムプローブによるサブナノ構造・バリヤ性評価

2015 · 紘平嶋, ユアンツ, et al. · IEICE Technical Report; IEICE Tech. Rep.

ALD/CVDによる次世代Cu配線用単層バリヤ/ライナーCo(W)膜

2012 · 秀治清水, 紘平嶋, et al. · SIAM International Conference on Data Mining

超臨界流体を利用した金属薄膜形成技術 (特集超臨界流体--ここまできた技術開発・応用性)

2009 · 幸浩霜垣, 健百瀬, et al. · 工業材料

選択領域有機金属気相成長の気相拡散効果を用いたInGaN系多波長発光素子の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

2008 · 倫也塩田, 祐貴富田, et al. · Combinatorial Pattern Matching

超臨界流体を用いたCu薄膜の形成とULSI配線形成への応用 (マテリアルスポット MEMS,半導体,オプトエレクトロニクスにまで可能性を持つ超臨界流体.超臨界CO2を用いた新しいマテリアル開発のトレンド)

2008 · 幸浩霜垣, 健百瀬, et al. · マテリアルステージ

酸化還元を利用したULSI-Cu配線形成用CVDプロセスの速度論 (2)

2008 · 圭雄須佐, 幸浩霜垣 · 化学工学会　研究発表講演要旨集化学工学会第73年会

MOVPEにおける酸化アルミニウムによるGaAs(001)面のin situ パッシベーション

2008 · 雄紀寺田, 桃子出浦, et al.

超臨界二酸化炭素を用いた薄膜形成 (新春特集ナノテクノロジーのための超臨界流体技術)

2007 · 幸浩霜垣, 正和杉山, et al. · 機能材料

Lp-cvd-htoプロセスの表面積／反応空間比

2007 · 茂酒井, 正明荻野, et al.

GaAs-MOVPEにおける表面吸着層の in situ 観察および解析

2007 · 出浦桃子, 杉山正和, et al.

SCFD(Supercritical Fluid Deposition)によるSiO2薄膜の合成

2006 · 智弘大久保, 健百瀬, et al.

超臨界CO 2 を用いたTa化合物薄膜形成

2005 · 達也石井, 健百瀬, et al. · 化学工学会　研究発表講演要旨集

超臨界CO$2を用いたCu薄膜堆積における新規還元剤・添加剤の探索

2005 · 智弘大久保, 健百瀬, et al. · 化学工学会　研究発表講演要旨集

選択成長を用いた表面反応速度の解析:GaAs MOCVDにおける温度・基板面方位の効果

2005 · 海政宋, 学良宋, et al. · 化学工学会　研究発表講演要旨集

超臨界CO 2 を用いたCu薄膜堆積:その場観察による成長過程解析

2005 · 健百瀬, 智弘大久保, et al. · 化学工学会　研究発表講演要旨集

Chemical Reaction Engineering

2004 · 隆夫増田, 忍香田, et al. · Chemical engineering

25aD01 薄膜初期堆積過程におけるCVD成長モード(ナノ粒子・ナノ構造(1),第34回結晶成長国内会議)

2004 · 裕矢梶川, 猛津村, et al. · 日本結晶成長学会誌

C-4-17 MOVPE 成長 AIN/GaN 多重量子井戸における 1.55μm のサブバンド間遷移

2003 · 脇一太郎, 一太郎脇, et al. · 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集

Synthesis and Evaluation of CoSi Film for Anti-oxidation Barrier of ULSI-Cu Metallization

2003 · 秀華陳, 里佳平井, et al. · 化学工学会　研究発表講演要旨集化学工学会第36回秋季大会

PECVDによる低誘電率層間絶縁膜用a-C:F膜の合成

2001 · 伸夫羽路, 幸浩霜垣, et al. · SIAM International Conference on Data Mining

WF 6 /Si 2 H 6 によるWSi x ブランケットCVDのモデリングとシミュレーション

1995 · 靖幸江頭, 弘文会田, et al.

WSi x -CVDプロセスの反応機構―WF 6 /SiH 4 ，WF 6 /Si 2 H 6 反応系の比較―

1995 · 齊藤丈靖, 霜垣幸浩, et al. · 電子情報通信学会論文誌 C

H_2, SiH_4, Si_2H_6添加によるDCS-WSix-CVDプロセスの改善

1995 · 幸浩霜垣, 丈靖斎藤, et al. · 半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集

2重拡散によるGaAs/AlGaAs系ヘテロバイポ-ラトランジスタ構造光変調器/スイッチ作製プロセスの研究

1994 · 幸浩霜垣 · 豊田研究報告

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幸浩 霜垣

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